日東電工株式会社（本社：大阪市、社長：髙﨑秀雄、以下Nitto）はIBM社（本社：米国ニューヨーク州、CEO：Arvind Krishna）と先端パッケージ技術および材料研究に関する共同開発契約を締結したことをお知らせいたします。本契約により、先端パッケージ工程における新たな高分子材料の活用可能性について共同で評価を行います。

半導体パッケージ分野では、チップレットなどAI用途向けの先端パッケージ開発が加速しています。一方で、RDL(Redistribution Layer(再配線層))インターポーザーの高密度配線化やパッケージの大型化に伴い、反りや熱膨張といった新たな課題も顕在化しています。本共同研究では、これらの課題に対応するため、半導体パッケージにおける熱機械的信頼性の向上を目指した新材料の評価を進めます。

Nitto　CTO三木陽介： 「次世代RDL技術の開発に向けた材料研究の推進において、IBM Researchと協業できることを大変嬉しく思います。材料の進化は、半導体デバイスおよびパッケージ技術の革新を支えてきました。本協業を通じて、AI時代のニーズと課題に応える先端パッケージ技術の材料研究をさらに加速させていきたいと考えています。」

IBMグローバル半導体研究開発担当副社長　Huiming Bu氏： 「Nittoと共に先端パッケージ材料の研究を進められることを非常に楽しみにしています。IBMは、AI時代に向けたチップレットおよび先端パッケージ技術の開発を牽引してきました。本協業により、IBMの技術力とNittoの材料開発における豊富な知見を融合させることができます。」

本契約には高分子材料に加え、Nittoが開発する先端パッケージ材料に関する共同研究も含まれています。両社は、パッケージ基板の熱膨張や反りの抑制、微細配線間のクロストークノイズ低減技術など、幅広い分野で共同研究開発を進めてまいります。